Category: TechnologyLogo
Posted Jan 27, 2018 16:34 (GMT +7)


Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เปิดตัวกระบวนการ SOI ด้วยอัตราเสียงรบกวนต่ำสำหรับแอมพลิฟายเออร์ RF ที่ให้เสียงรบกวนต่ำ สำหรับสมาร์ทโฟน

โตเกียว--(BUSINESS WIRE)--26 มกราคม 2018

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศในวันนี้ถึงการพัฒนา "TaRF10" ซึ่งเป็นกระบวนการที่ทันสมัยสำหรับ TarfSOITM (Toshiba advanced RF SOI [1]) แอมพลิฟายเออร์ที่ก่อเสียงรบกวนต่ำ เหมาะสำหรับการใช้งานกับสมาร์ทโฟน (LNA)

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: Appearance of LNA fabricated with TaRF10 (Photo: Busines ...

Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.: รูปแบบของ TaRF 10 ที่ประกอบเข้ากันแบบ LNA (รูปภาพ: Business Wire)

ในช่วงไม่กี่ปีที่ผ่านมาความเร็วในการสื่อสารข้อมูลแบบพกพาที่เพิ่มขึ้นได้ขยายการใช้สวิตช์และตัวกรอง RF ในส่วนหน้าแบบอะนาล็อกของโทรศัพท์มือถือ ผลทำให้เกิดสัญญาณขาดหายระหว่างเสาอากาศและวงจรรับสัญญาณมากขึ้นซึ่งทำให้ความไวในการรับสัญญาณลดลง จึงมีการให้ความสำคัญกับ LNA ที่มีสัญญาณรบกวนต่ำ[2]  (NF) เพื่อชดเชยการสูญเสียสัญญาณและปรับปรุงความสมบูรณ์ของสัญญาณที่ได้รับมา

Toshiba Electronic Devices & Storage ได้ใช้กระบวนการ TaRF10 แบบใหม่ในการพัฒนาต้นแบบ LNA ที่จำกัดเสียงรบกวนอย่างยอดเยี่ยมอยู่ที่ 0.72dB และ ทำให้ได้ความดังระดับ [3] 16.9dB ที่ความถี่ 1.8GHz

อุปกรณ์แบบพกพาใช้สวิตช์ RF และ LNA จำนวนมากในวงจรรับสัญญาณทำให้ต้องลดขนาดวงจรเพื่อลดการใช้พื้นที่ของบอร์ด ปัจจุบันนี้ LNAs ใช้ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ที่ทำจาก ซิลิคอน - เจอร์เมเนียม - คาร์บอน (SiGe: C) และเป็นเรื่องยากที่จะผสมผสาน LNAs และ RF สวิทช์ที่สร้างขึ้นด้วยกระบวนการที่แตกต่างกันบนชิปเดียวกัน

กระบวนการ TaRF10 ใหม่สามารถรวม LNAs วงจรควบคุมและสวิตช์ RF ไว้บนชิปตัวเดียวเนื่องจากสามารถใช้งานร่วมกับกระบวนการ TaRF8 และ TaRF9 สำหรับสวิตช์ RF ซึ่งมีคุณสมบัติเด่นในด้าน RF ทั้งนี้ TaRF9 ทำให้การสูญเสียที่เกิดจากการแทรกของสัญญาณทและความผิดเพี้ยนของสัญญาณที่ต่ำกว่าของ TaRF8 ขณะนี้ Toshiba Electronic Devices & Storage มีแผนจะนำ LNAs สู่ตลาดพร้อมสวิตช์ RF แบบบูรณาการ

Toshiba Electronic Devices & Storageได้พัฒนาไอซี RFโดยใช้บริษัทในเครือได้แก่ Japan Semiconductor Corporation เพื่อใช้เทคโนโลยี SOI-CMOS ล่าสุดและให้อำนาจในการจัดการด้านการผลิตทั้งหมดตั้งแต่การพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการ RF จนถึงการออกแบบและการผลิตเพื่อเปิดจัวผลิตภัณฑ์

เพื่อตอบสนองความต้องการของตลาดยุคหน้าสำหรับสมาร์ทโฟน 5G บริษัทจะยังคงปรับปรุงลักษณะของกระบวนการ TarfSOITM ต่อไปและพัฒนา ไอซี RFด้วยเทคโนโลยีที่ทันสมัย
 

ตารางที่ 1. ข้อมูลจำเพาะหลักของ LNA

โหมด

LNA ใช้กระบวนการ TaRF 10

หน่วย

ขนาดชิป

-

0.70×0.43

Mm

ความถี่

-

1.8

GHz

ซัพพลายโวลเตจ

-

1.8

V

กระแสซัพพลาย

โหมดเกน

7.4

mA

โหมดบายพาส

50

μA

คอนโทรลโวลเตจ

โหมดเกน

1.8

V

โหมดบายพาส

0

V

เกน

โหมดเกน

16.9

dB

โหมดบายพาส

-1.6

dB

NF

โหมดเกน

0.72

dB

รีเทิร์นลอส (อิน)

โหมดเกน

8.4

dB

รีเทิร์นลอส (เอาท์)

โหมดเกน

12.1

dB

รีเวิรฺสไอโซเลชัน

โหมดเกน

26.5

dB

IP1dB

โหมดเกน

-8.9

dBm

IIP3

โหมดเกน

4.3

dBm

Notes:
[1] TarfSOITM (RF SOI ขั้นสูงของ Toshiba): SOI-CMOS (เซมิคอนดักเตอร์ซิลิคอนบนตัวฉนวนเสริมที่เป็นเอกลักษณ์ของเมทัลออกไซด์) ด้านหน้า
[2] อัตราเสียงรบกวน: อัตราส่วนของอัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่เอาท์พุทต่อ อัตราส่วนสัญญาณต่อเสียงรบกวนที่อินพุท อัตราเสียงที่ต่ำกว่าหมายถึงเครื่องขยายเสียงมีเสียงรบกวนที่ต่ำกว่าจึงดีกว่า
[3 เกน: อัตราส่วนของกำลังขาออกของเครื่องขยายเสียงกับกำลังขาเข้าในหน่วย dB

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

Customer Inquiries:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

อ่านเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.comhttp://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/

ติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department ฝ่ายการตลาดดิจิตัล
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Distribute your news release with us

  • Print

    unique advertising solution

    Our media lists include news desks at all leading Thai and English-language dailies.

  • Radio & TV

    reliable platform

    We deliver your news to leading Thai radio stations and TV channels.

  • Internet Sites

    cloud computing

    All releases are submitted to Internet news sites, including several with guaranteed pickup.

Our Self-Serve News Release Couldn't Be Simpler

Our streamlined online process makes it simple and fast to submit your news to the Thai media. Once registered, just enter or copy your text into our submission form and you'll see an instant preview with our fee based on the word count, translation, and any attached image. To confirm submission, hit Enter to be taken to our payment processor. Once payment is approved, your release passes automatically to our news desk for translation and dissemination by our skilled and experienced team. You'll be kept informed at each step of the process.