ความเร็วของอินเทอร์เฟซที่ได้รับการพัฒนาจะช่วยให้ฟีเจอร์ AI บนอุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูงขึ้นในสมาร์ทโฟน

โตเกียว--(BUSINESS WIRE)--24 กุมภาพันธ์ 2026

Kioxia Corporation บริษัทผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มจัดส่งตัวอย่างสำหรับการประเมินทดสอบ⁽¹⁾ หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัวที่เข้ากันได้กับมาตรฐาน UFS รุ่นใหม่ นั่นคือ UFS 5.0 ซึ่งปัจจุบันอยู่ระหว่างการกำหนดมาตรฐานโดย JEDEC⁽²⁾
UFS 5.0 เป็นมาตรฐานใหม่สำหรับหน่วยเก็บข้อมูลแฟลชแบบฝังตัว ซึ่งกำลังได้รับการพัฒนาโดย JEDEC เพื่อตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพของอุปกรณ์พกพารุ่นใหม่ เช่น สมาร์ทโฟนระดับไฮเอนด์ที่มีฟังก์ชัน AI ในตัว โดยใช้ MIPI M-PHY เวอร์ชัน 6.0 สำหรับเลเยอร์ทางกายภาพ และ UniPro เวอร์ชัน 3.0 สำหรับโปรโตคอล โดย M-PHY เวอร์ชัน 6.0 จะนำเสนอโหมด HS-GEAR6 ใหม่ ซึ่งในทางทฤษฎีนั้นสามารถรองรับความเร็วอินเทอร์เฟซได้สูงสุดถึง 46.6 Gbps ต่อเลน ด้วย 2 เลน โดย UFS 5.0 สามารถบรรลุประสิทธิภาพด้านการอ่าน/เขียนที่มีประสิทธิภาพประมาณ 10.8 GB/s ได้

อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝังตัว UFS 5.0

ตัวอย่างสำหรับการประเมินทดสอบประกอบด้วยคอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นใหม่ภายในบริษัทสำหรับ UFS 5.0 และ BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia โดยมีให้เลือกในความจุ 512 GB และ 1 TB โดยแพ็คเกจได้รับการออกแบบใหม่ให้มีขนาดเล็กเพียง 7.5 x 13 มม. ที่จะช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจรและช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นในการออกแบบได้

ตัวอย่างเหล่านี้มีไว้สำหรับลูกค้าที่กำลังพัฒนาระบบโฮสต์ที่เข้ากันได้กับ UFS 5.0 เพื่อให้พวกเขาสามารถประเมินประสิทธิภาพและทำการทดสอบการทำงานร่วมกันได้

Kioxia จะยังคงนำเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชใหม่ๆ มาใช้ในผลิตภัณฑ์ UFS อย่างต่อเนื่อง เพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับความจุที่มากขึ้นและประสิทธิภาพที่สูงขึ้นในตลาดโทรศัพท์มือถือ

หมายเหตุ:

1. ตัวอย่างเหล่านี้มีไว้สำหรับการประเมินการทำงานเท่านั้น คุณสมบัติของตัวอย่างจะแตกต่างจากผลิตภัณฑ์เชิงพาณิชย์
2. การจัดส่งตัวอย่างสำหรับการประเมิน 512 GB ได้เริ่มต้นเมื่อวันที่ 24 กุมภาพันธ์ และการจัดส่งตัวอย่าง 1 TB มีกำหนดจะเริ่มตั้งแต่เดือนมีนาคมเป็นต้นไป

• ในทุกการกล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia: ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่ผู้ใช้ปลายทางสามารถใช้จัดเก็บข้อมูลได้ ความจุที่ผู้บริโภคใช้งานได้จะน้อยกว่าเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลส่วนเกิน การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อกำหนดเฉพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1 KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต

• 1 Gbps คำนวณได้เป็น 1,000,000,000 บิต/วินาที และ 1 GB/วินาที คำนวณได้เป็น 1,000,000,000 ไบต์/วินาที

• ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia

Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ซึ่งทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 บริษัท Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อก่อนหน้าของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย “หน่วยความจำ” โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและสร้างคุณค่าจากหน่วยความจำให้กับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D เชิงนวัตกรรมของ Kioxia อย่าง BiCS FLASH™ กำลังสร้างอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและรายละเอียดสินค้า เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่ข้อมูลอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260220218622/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Satoshi Shindo
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation