Logo

Discrete IGBT ใหม่ของโตชิบาสำหรับวงจรไฟฟ้าเรโซแนนซ์ช่วยลดการใช้พลังงานและสามารถออกแบบอุปกรณ์ได้ง่ายขึ้น

Category: Technology
Posted Dec 24, 2019 10:49 (GMT +7)

โตเกียว--(บิสิเนสไวร์)--23 ธ.ค. 2562

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation  (“โตชิบา”) ได้เปิดตัว “GT20N135SRA” ซึ่งเป็น IGBT 1350V สำหรับใช้ในวงจรไฟฟ้าเรโซแนนซ์ในหม้อหุง IH แบบตั้งโต๊ะ หม้อหุงข้าว IH เตาไมโครเวฟ และเครื่องใช้ภายในบ้านอื่นๆ  การจัดส่งเริ่มต้นแล้ววันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีมัลติมีเดีย  อ่านฉบับเต็มได้ที่นี่: https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

Toshiba: a 1350V discrete IGBT "GT20N135SRA" for use in voltage resonance circuits in tabletop IH cookers and other home appliances. (Photo: Business Wire)

โตชิบา: 1350V IGBT "GT20N135SRA" สำหรับใช้ในวงจรแรงดันไฟฟ้าเรโซแนนซ์ในหม้อหุง IH แบบตั้งโต๊ะและเครื่องใช้ภายในบ้านอื่นๆ (ภาพ: บิสิเนสไวร์)

GT20N135SRA มีแรงดันไฟฟ้าแบบ collector-emitter saturation voltage[1] 1.75V และแรงดันไดโอดข้างหน้า[2] 1.8V, ประมาณ 10% และต่ำกว่า 21% ตามลำดับสำหรับผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน[3]  ทั้ง IGBT และไดโอดมีการปรับปรุงคุณสมบัติการสูญเสียการนำความร้อนที่อุณหภูมิสูง (TC= 100 ℃) และ IGBT ใหม่สามารถช่วยลดการใช้พลังงานของอุปกรณ์ นอกจากนี้ยังมีความต้านทานความร้อนแบบ junction-to-case 0.48 ℃/W (สูงสุด) ซึ่งต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ในปัจจุบันประมาณ 26%[3] ช่วยให้ออกแบบระบบระบายความร้อนได้ง่ายขึ้น

IGBT ใหม่จะหยุดกระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่ไหลผ่านตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เมื่อเปิดอุปกรณ์   ค่าวงจรสูงสุด[4] คือ 129A นับเป็นการลดลง 31% จากผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน[3]  เนื่องจากพื้นที่ในการดำเนินงานความปลอดภัยกว้างขึ้น ทำให้การออกแบบอุปกรณ์ง่ายขึ้นเมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ในปัจจุบัน[3]

การใช้งาน

เครื่องใช้ในบ้าน (เช่นโต๊ะหม้อหุง IH, หม้อหุงข้าว IH และเตาไมโครเวฟ) ที่ใช้วงจรเรแรงดันไฟฟ้าโซแนนซ์

คุณสมบัติ

  • การสูญเสียการนำความร้อนต่ำ:
    VCE(sat)=1.6V(typ.) (@IC=20A, VGE=15V, Ta=25℃)
    VF=1.75V (typ.) (@IF=20A, VGE=0V, Ta=25℃)
  • ความต้านทานความร้อนแบบ junction-to-case ต่ำ: Rth(j-C)=0.48℃/W (max)
  • ยับยั้งกระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่ไหลผ่านตัวเก็บประจุเรโซแนนซ์เมื่อเปิดอุปกรณ์
  • พื้นที่กว้างในการดำเนินงานความปลอดภัย

ข้อมูลจำเพาะหลัก

(เว้นแต่จะระบุเป็นอย่างอื่น @Ta=25 °C)

หมายเลขชิ้นส่วน

แพคเกจ

ค่าสูงสุด

กระแสไฟฟ้า Collector-emitter saturation

VCE(sat)

typ.

@IC=20A,

VGE=15V

(V)

กระแสไดโอดข้างหน้า

VF

typ.

@IF=20A,

VGE=0V

(V)

เวลาการสับเปลี่ยน

(fall time)

tf

typ.

@Resistive load

(μs)

การต้านทานอุณหภูมิแบบ Junction-to-case thermal

Rth(j-C)

max

(℃/W)

กระแสไฟฟ้า Collector-emitter

VCES

(V)

วงจรไฟฟ้า Collector

(DC)

IC

@TC=25℃

(A)

วงจรไฟฟ้า Collector

(DC)

IC

@TC=100℃

(A)

อุณหภูมิ Junction

Tj

(℃)

GT20N135SRA

TO-247

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

หมายเหตุ:

[1] ณ เดือนมิถุนายน 2562 วัดโดยโตชิบา (เงื่อนไขการทดสอบ: IC=20A, VGE=15V, TC=100℃)

[2] ณ เดือนมิถุนายน 2562 วัดโดยโตชิบา (เงื่อนไขการทดสอบ: IF=20A, VGE=0V, TC=100℃)

[3] ผลิตภัณฑ์ปัจจุบันของโตชิบา “GT40RR21”

[4] ณ เดือนมิถุนายน 2562 วัดโดยโตชิบา (เงื่อนไขการทดสอบ: VCC=300V, VGG=15V, C=0.33μF, t=5μs, Ta=25℃)

ติดตามลิงค์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

GT20N135SRA

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

ติดตามลิงค์ด้านล่างเพื่อรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับรายชื่อผลิตภัณฑ์ของโตชิบา IGBT

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ

สอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า:

Power Device Sales & Marketing Department (ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า(

โทร: +81-3-3457-3933

https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

ข้อมูลในเอกสารนี้รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหา บริการ และข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation รวมพลังของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาของประสบการณ์  นับตั้งแต่การเป็นบริษัทอิสระในเดือนกรกฎาคมปี 2560 เราได้กลายเป็นหนึ่งในบริษัท อุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำ และให้บริการลูกค้าและคู่ค้าทางธุรกิจที่โดดเด่นในด้านเซมิคอนดักเตอร์แบบแยก ระบบ LSI และ HDD

พนักงาน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นร่วมในการเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่  เราตั้งใจว่าจะสร้างยอดขายต่อปีเกินกว่า 700 ล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) และสนับสนุนอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนทุกที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูรฉบับที่มาที่ businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

สอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Digital Marketing Department (ฝ่ายการตลาดดิจิตอล)
Chiaki Nagasawa
โทร: +81-3-3457-4963
อีเมล: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

Distribute your news release with us

  • Print

    unique advertising solution

    Our media lists include news desks at all leading Thai and English-language dailies.

  • Radio & TV

    reliable platform

    We deliver your news to leading Thai radio stations and TV channels.

  • Internet Sites

    cloud computing

    All releases are submitted to Internet news sites, including several with guaranteed pickup.

Our Self-Serve News Release Couldn't Be Simpler

Our streamlined online process makes it simple and fast to submit your news to the Thai media. Once registered, just enter or copy your text into our submission form and you'll see an instant preview with our fee based on the word count, translation, and any attached image. To confirm submission, hit Enter to be taken to our payment processor. Once payment is approved, your release passes automatically to our news desk for translation and dissemination by our skilled and experienced team. You'll be kept informed at each step of the process.

Do NOT follow this link or you will be banned from the site!