อุปกรณ์ UFS ใหม่พร้อม BiCS FLASH™⁽¹⁾ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia เพิ่มความเร็วและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน

โตเกียว--(BUSINESS WIRE)--09 กรกฎาคม 2025

Kioxia Corporation ผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ประกาศในวันนี้ว่าได้เริ่มสุ่มตัวอย่างอุปกรณ์หน่วยความจำแบบฝัง Universal Flash Storage ⁽²⁾ (UFS) Ver. 4.1 ใหม่ ซึ่งตอกย้ำความเป็นผู้นำด้านระบบจัดเก็บข้อมูลประสิทธิภาพสูง อุปกรณ์ใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของแอปพลิเคชันมือถือรุ่นถัดไป รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูงที่มี AI บนอุปกรณ์ โดยมอบประสิทธิภาพการทำงานที่ดีขึ้นพร้อมประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่มากขึ้น ⁽³⁾ ในแพ็กเกจ BGA ขนาดเล็ก

Kioxia: อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS Ver. 4.1 สำหรับแอปพลิเคชันมือถือรุ่นถัดไป

อุปกรณ์ UFS Ver. 4.1 จาก Kioxia ผสานหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ ที่เป็นนวัตกรรมของบริษัทและตัวควบคุมในแพ็กเกจมาตรฐาน JEDEC อุปกรณ์ UFS ใหม่เหล่านี้สร้างขึ้นด้วยหน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia ⁽¹⁾ รุ่นนี้เปิดตัวเทคโนโลยี CBA (CMOS directly Bonded to Array) ซึ่งเป็นนวัตกรรมทางสถาปัตยกรรมที่ถือเป็นการเปลี่ยนแปลงครั้งสำคัญในการออกแบบหน่วยความจำแฟลช โดยการเชื่อมต่อวงจร CMOS เข้ากับอาร์เรย์หน่วยความจำโดยตรง เทคโนโลยี CBA ช่วยให้ประหยัดพลังงาน ประสิทธิภาพการทำงาน และความหนาแน่นได้อย่างมาก

ด้วยการผสมผสานระหว่างความเร็วและการใช้พลังงานต่ำ อุปกรณ์ UFS Ver. 4.1 ของ Kioxia ถูกสร้างขึ้นเพื่อยกระดับประสบการณ์ของผู้ใช้ ช่วยให้ดาวน์โหลดได้เร็วขึ้นและแอปมีประสิทธิภาพการทำงานราบรื่นยิ่งขึ้น

คุณสมบัติหลัก ได้แก่:

•  มีความจุให้เลือก 256 กิกะไบต์ (GB), 512 GB และ 1 เทราไบต์ (TB)
•  ประสิทธิภาพการทำงานดีขึ้นกว่ารุ่นก่อนหน้า⁽³⁾ :
  • การเขียนแบบสุ่ม: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ +30%
  • การเขียนแบบสุ่ม: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ +35%
•  ปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานมากกว่ารุ่นก่อนหน้า⁽³⁾ :
  • การอ่าน: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ ปรับปรุงดีขึ้น 15%
  • การเขียน: 512 GB / 1 TB โดยประมาณ ปรับปรุงดีขึ้น 20%
• การจัดเรียงข้อมูลแบบเริ่มต้นโดยโฮสต์ช่วยให้สามารถรวบรวมขยะได้ล่าช้าเพื่อประสิทธิภาพที่รวดเร็วไม่หยุดชะงักในช่วงเวลาที่สำคัญ
• การปรับขนาดบัฟเฟอร์ WriteBooster ช่วยให้มีความยืดหยุ่นมากขึ้นเพื่อประสิทธิภาพที่เหมาะสมที่สุด
• รองรับมาตรฐาน UFS Ver. 4.1
•  ความสูงของแพ็กเกจที่ลดลงสำหรับรุ่น 1 TB เมื่อเทียบกับรุ่นก่อนหน้า⁽⁴⁾
•  ใช้หน่วยความจำแฟลช 3D BiCS FLASH™ รุ่นที่ 8 ของ Kioxia⁽¹⁾

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง:
หน้าผลิตภัณฑ์ UFS 4.1 ของ Kioxia
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

หมายเหตุ:
(1) เฉพาะรุ่น 512 GB / 1 TB เท่านั้น
(2) Universal Flash Storage (UFS) เป็นหมวดหมู่ผลิตภัณฑ์สำหรับผลิตภัณฑ์หน่วยความจำฝังตัวประเภทหนึ่งที่สร้างขึ้นตามมาตรฐาน JEDEC UFS เนื่องจากมีอินเทอร์เฟซแบบอนุกรม UFS จึงรองรับการทำงานแบบดูเพล็กซ์เต็มรูปแบบ ซึ่งช่วยให้สามารถอ่านและเขียนข้อมูลพร้อมกันระหว่างโพรเซสเซอร์โฮสต์และอุปกรณ์ UFS ได้
(3) เมื่อเปรียบเทียบกับอุปกรณ์ 512 GB รุ่นก่อนหน้า “THGJFMT2E46BATV” และอุปกรณ์ 1 TB “THGJFMT3E86BATZ” ตามลำดับ (เฉพาะรุ่น 512 GB / 1 TB เท่านั้น)
(4) อุปกรณ์ 1 TB รุ่นก่อนหน้า “THGJFMT3E86BATZ”

*ทุกครั้งที่กล่าวถึงผลิตภัณฑ์ Kioxia ความหนาแน่นของผลิตภัณฑ์จะระบุตามความหนาแน่นของชิปหน่วยความจำภายในผลิตภัณฑ์ ไม่ใช่ปริมาณความจุหน่วยความจำที่มีให้สำหรับจัดเก็บข้อมูลโดยผู้ใช้ปลายทาง ความจุที่ผู้บริโภคใช้ได้จะลดลงเนื่องจากพื้นที่ข้อมูลโอเวอร์เฮด การจัดรูปแบบ บล็อกเสีย และข้อจำกัดอื่นๆ และอาจแตกต่างกันไปตามอุปกรณ์โฮสต์และแอปพลิเคชัน สำหรับรายละเอียด โปรดดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง คำจำกัดความของ 1 KB = 2^10 ไบต์ = 1,024 ไบต์ คำจำกัดความของ 1 Gb = 2^30 บิต = 1,073,741,824 บิต คำจำกัดความของ 1 GB = 2^30 ไบต์ = 1,073,741,824 ไบต์ 1 Tb = 2^40 บิต = 1,099,511,627,776 บิต 1 TB = 2^40 ไบต์ = 1,099,511,627,776 ไบต์

*ความเร็วในการอ่านและเขียนเป็นค่าที่ดีที่สุดที่ได้จากการทดสอบในสภาพแวดล้อมเฉพาะที่ Kioxia Corporation และ Kioxia Corporation ไม่รับประกันความเร็วในการอ่านและเขียนในอุปกรณ์แต่ละเครื่อง ความเร็วในการอ่านและเขียนอาจแตกต่างกันไป ขึ้นอยู่กับอุปกรณ์ที่ใช้และขนาดไฟล์ที่อ่านหรือเขียน

*ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทบุคคลที่สาม

เกี่ยวกับ Kioxia
Kioxia เป็นผู้นำระดับโลกด้านโซลูชันหน่วยความจำ ที่ทุ่มเทให้กับการพัฒนา การผลิต และการจำหน่ายหน่วยความจำแฟลชและโซลิดสเตตไดรฟ์ (SSD) ในเดือนเมษายน 2017 Toshiba Memory ซึ่งเป็นชื่อเดิมของบริษัทได้แยกตัวออกมาจาก Toshiba Corporation ซึ่งเป็นบริษัทที่คิดค้นหน่วยความจำแฟลช NAND ในปี 1987 Kioxia มุ่งมั่นที่จะยกระดับโลกด้วย "หน่วยความจำ" โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ บริการ และระบบที่สร้างทางเลือกให้กับลูกค้าและคุณค่าจากหน่วยความจำสำหรับสังคม เทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D ที่เป็นนวัตกรรมของ Kioxia ที่เรียกว่า BiCS FLASH™ กำลังกำหนดอนาคตของการจัดเก็บข้อมูลในแอปพลิเคชันความหนาแน่นสูง รวมถึงสมาร์ทโฟนขั้นสูง พีซี SSD ระบบยานยนต์ ศูนย์ข้อมูล และระบบ AI เชิงสร้างสรรค์

การสอบถามจากลูกค้า:
Kioxia Corporation
สำนักงานขายทั่วโลก
https://www.kioxia.com/en-jp/business/buy/global-sales.html

*ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ มีความถูกต้อง ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า 

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250707306499/en  

Contacts

การสอบถามจากสื่อ:
Kioxia Corporation
ฝ่ายบริหารการส่งเสริมการขาย
Koji Takahata
โทร.: +81-3-6478-2404

ที่มา: Kioxia Corporation