- สี่อุปกรณ์ใหม่ที่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและความหนาแน่นของพลังงานสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม -

คาวาซากิ, ญี่ปุ่น--(BUSINESS WIRE)--20 พฤษภาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") เปิดตัวซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) MOSFET ขนาด 650V จำนวนสี่ตัวที่มาพร้อมกับอุปกรณ์ใหม่ล่าสุด^[1] ชิป SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ซึ่งบรรจุอยู่ในแพ็กเกจ DFN8x8 ขนาดกะทัดรัด เหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดและเครื่องปรับกำลังไฟฟ้าสำหรับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าแบบโฟโตวอลเทอิก ปริมาณการจัดส่งอุปกรณ์ทั้งสี่ตัว "TW031V65C” “TW054V65C” “TW092V65C” และ “TW123V65C” เริ่มแล้ววันนี้

Toshiba: SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ในแพ็กเกจ DFN8x8

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้เป็น SiC MOSFET รุ่นที่ 3 รุ่นแรกที่ใช้แพ็กเกจ DFN8x8 แบบติดพื้นผิวขนาดเล็ก ซึ่งลดปริมาตรได้มากกว่า 90% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจแบบใส่ตะกั่ว เช่น TO-247 และ TO-247-4L(X) และปรับปรุงความหนาแน่นของพลังงานของอุปกรณ์ การติดตั้งบนพื้นผิวยังช่วยให้ใช้ค่าความต้านทานปรสิตได้อีกด้วย^[2] ชิ้นส่วนมีขนาดเล็กกว่าแพ็กเกจแบบสอดตะกั่ว ซึ่งช่วยลดการสูญเสียในการสลับ โดย DFN8x8 เป็นแบบ 4 พิน^[3] แพ็กเกจนี้ช่วยให้สามารถใช้การเชื่อมต่อแบบเคลวินของขั้วต่อแหล่งสัญญาณสำหรับไดรฟ์เกตได้ ซึ่งจะช่วยลดอิทธิพลของความเหนี่ยวนำในสายแหล่งสัญญาณภายในแพ็กเกจได้ ทำให้มีประสิทธิภาพในการสลับความเร็วสูง ในกรณีของ TW054V65C จะสามารถช่วยลดการสูญเสียการเปิดเครื่องได้ประมาณ 55% และลดการสูญเสียการปิดเครื่องได้ประมาณ 25%^[4] เปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ Toshiba ในปัจจุบัน^[5] ช่วยลดการสูญเสียพลังงานในอุปกรณ์

Toshiba จะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของตนต่อไปเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของอุปกรณ์และเพิ่มความจุพลังงาน

หมายเหตุ:
 [1] ณ เดือนพฤษภาคม 2025
 [2] ความต้านทาน ความเหนี่ยวนำ ฯลฯ
 [3] ผลิตภัณฑ์ที่มีพินแหล่งสัญญาณเชื่อมต่อใกล้กับชิป FET
 [4] ณ เดือนพฤษภาคม 2025 ค่าที่วัดโดย Toshiba สำหรับรายละเอียด โปรดดูรูปที่ 1 ในเวอร์ชันของรุ่นนี้บนเว็บไซต์ของ Toshiba
 [5] SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ขนาด 650V ที่มีแรงดันไฟฟ้าเทียบเท่าและความต้านทานการเปิดที่ใช้แพ็กเกจ TO-247 โดยไม่มีการเชื่อมต่อแบบเคลวิน

แอปพลิเคชัน

• แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตช์โหมดในเซิร์ฟเวอร์ ศูนย์ข้อมูล อุปกรณ์สื่อสาร ฯลฯ
• สถานีชาร์จรถยนต์ไฟฟ้า
• อินเวอร์เตอร์โฟโตวอลเทอิก (อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์)
• เครื่องจ่ายไฟสำรอง

คุณสมบัติ

• แพ็กเกจติดตั้งบนพื้นผิว DFN8x8 ช่วยให้สามารถย่อขนาดอุปกรณ์และประกอบอัตโนมัติได้ การสูญเสียการสลับต่ำ
• ทรานซิสเตอร์ SiC MOSFET รุ่นที่ 3 ของ Toshiba
• การพึ่งพาอุณหภูมิของความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายได้ดีโดยการปรับความต้านทานการดริฟท์และอัตราส่วนความต้านทานของช่องสัญญาณให้เหมาะสม
• ความต้านทานการเปิด-ปิดของแหล่งจ่ายต่ำ x ประจุเกต-ท่อระบาย
• แรงดันไฟฟ้าไปข้างหน้าของไดโอดต่ำ: V_DSF =-1.35V (ทั่วไป) (V_GS =-5V)

คุณสมบัติหลัก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
คุณสมบัติของ SiC MOSFET รุ่นที่ 3
คำถามที่พบบ่อยเกี่ยวกับ SiC MOSFET
การเปรียบเทียบ SiC MOSFET และ Si IGBT
ค่าพิกัดสูงสุดที่แน่นอนและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของ SiC MOSFET

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TW031V65C
TW054V65C
TW092V65C
TW123V65C

ติดตามลิงก์ด้านล่างเพื่อดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับ SiC Power Devices ของ Toshiba
SiC Power Devices

เพื่อตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ ให้ไปที่:
TW031V65C
ซื้อออนไลน์

TW054V65C
ซื้อออนไลน์

TW092V65C
ซื้อออนไลน์

TW123V65C
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลล่าสุดในวันที่ประกาศ แต่สามารถเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชั่นเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง มีประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20250519603867/en  

Contacts

การสอบถามสำหรับลูกค้า
แผนกขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้าและสัญญาณขนาดเล็ก
โทร.: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

การสอบถามสำหรับสื่อ
Chiaki Nagasawa
แผนกการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation