Logo

Toshiba เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ไดรเวอร์เกต SiC MOSFET พร้อมฟังก์ชันความปลอดภัยที่พัฒนาสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม

Category: Technology
Posted Mar 7, 2025 21:49 (GMT +7)

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น--(BUSINESS WIRE)--06 มีนาคม 2025

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัวโฟโตคัปเปลอร์ไดรเวอร์เกต ”TLP5814H” ด้วยเอาต์พุต +6.8A/-4.8A ในแพ็คเกจ SO8L ขนาดเล็กที่รวมเอา ฟังก์ชันแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟสำหรับการไดร์ฟ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ที่ได้มีการเริ่มจัดส่งจำนวนมากตั้งแต่วันนี้

Toshiba: SiC MOSFET gate driver photocoupler TLP5814H with enhanced safety functions for industrial equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: โฟโตคัปเปลอร์ไดร์ฟเกต SiC MOSFET TLP5814H พร้อมฟังก์ชันความปลอดภัยขั้นสูงสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรม (กราฟิก: Business Wire)

 ในวงจร เช่น อินเวอร์เตอร์ ที่ใช้ MOSFET หรือ IGBT แบบอนุกรม แรงดันเกตสามารถสร้างขึ้นจากกระแสของ Miller[1] ได้เมื่อมีการปิดแขนท่อนล่าง[2] ทำให้เกิดความผิดปกติ เช่น ไฟฟ้าลัดวงจรที่แขนท่อนบนและท่อนล่าง[3] ฟังก์ชันการป้องกันที่ใช้กันทั่วไปเพื่อป้องกันไม่ให้เกิดเหตุการณ์นี้คือการใช้แรงดันไฟฟ้าลบที่เกตเมื่อมีการปิดอุปกรณ์

สำหรับ SiC MOSFET บางตัว ซึ่งโดยทั่วไปจะมีแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่า ความต้านทานสถานะเปิดที่ต่ำกว่า และคุณลักษณะการสวิชชิ่งที่เร็วกว่าซิลิคอน (Si) MOSFET และไม่สามารถใช้แรงดันไฟฟ้าเชิงลบที่เพียงพอระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดได้ ในกรณีนี้ สามารถใช้วงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟเพื่อจ่ายกระแสของ Miller จากเกตลงกราวด์ได้ เพื่อป้องกันการลัดวงจรโดยไม่จำเป็นต้องใช้แรงดันลบ อย่างไรก็ตาม ได้มีการออกแบบที่ลดต้นทุนเพื่อช่วยลดแรงดันไฟฟ้าเชิงลบที่จ่ายให้กับเกตเมื่อปิด IGBT และในกรณีเหล่านี้ได้ โดยมีไดรเวอร์เกตที่มีแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟในตัวเป็นตัวเลือกสำหรับการใช้งาน

ผลิตภัณฑ์ใหม่มีวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟในตัว ดังนั้นจึงไม่จำเป็นต้องจ่ายไฟเพิ่มเติมสำหรับแรงดันลบและวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟภายนอก ซึ่งให้ฟังก์ชันด้านความปลอดภัยสำหรับระบบและยังช่วยลดขนาดของระบบด้วยการลดจำนวนวงจรภายนอก โดยวงจรแคลมป์ Miller แบบแอคทีฟจะมีความต้านทานของช่องสัญญาณ 0.69Ω (ทั่วไป) และพิกัดกระแสของแคลมป์สูงสุดอยู่ที่ 6.8A ทำให้เหมาะสำหรับเป็นไดรเวอร์เกตสำหรับ SiC MOSFET ซึ่งมีความไวสูงต่อการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟเกต

TLP5814H มีระดับอุณหภูมิในการทำงานที่ -40 ถึง 125°C ซึ่งทำได้โดยการเพิ่มเอาต์พุตทางแสงของไดโอดเปล่งแสงอินฟราเรดที่ฝั่งอินพุต และเพิ่มประสิทธิภาพการออกแบบอุปกรณ์ตรวจจับภาพ (อาร์เรย์โฟโตไดโอด) เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการเชื่อมต่อด้วยแสง ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมที่ต้องการการจัดการระบายความร้อนที่เข้มงวด เช่น อินเวอร์เตอร์ของแผงโซลาร์เซลล์ (PV) และเครื่องสำรองไฟ (UPS) นอกจากนี้ยังมีเวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณและความแตกต่างของเวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณในช่วงพิกัดอุณหภูมิการทำงานด้วย โดยแพ็คเกจขนาดเล็ก SO8L 5.85 × 10 × 2.1 มม. (ทั่วไป) จะช่วยปรับปรุงความยืดหยุ่นในการจัดวางชิ้นส่วนบนบอร์ดระบบ นอกจากนี้ ยังมีระยะห่างตามผิวฉนวนขั้นต่ำ 8.0 มม. ทำให้สามารถใช้สำหรับการใช้งานที่ต้องการประสิทธิภาพของฉนวนสูง

Toshiba จะยังคงพัฒนาผลิตภัณฑ์โฟโตคัปเปลอร์ซึ่งจะช่วยยกระดับฟังก์ชันความปลอดภัยของอุปกรณ์อุตสาหกรรมต่อไป

 หมายเหตุ:
 [1] กระแสของมิลเลอร์: กระแสไฟฟ้าที่สร้างขึ้นเมื่อมีการใช้แรงดันไฟฟ้า dv/dt สูงกับความจุไฟฟ้าระหว่างเดรนและเกตของ MOSFET หรือระหว่างคอลเลคเตอร์และเกตของ IGBT
 [2] แขนส่วนล่างจะเป็นส่วนที่ดึงกระแสจากโหลดของวงจรที่มีการใช้อุปกรณ์กำลัง เช่น อินเวอร์เตอร์แบบอนุกรมไปยังแหล่งจ่ายไฟเชิงลบ (หรือกราวด์) โดยแขนส่วนบนจะเป็นส่วนที่จ่ายกระแสจากแหล่งจ่ายไฟไปยังโหลด
 [3] การลัดวงจรที่แขนส่วนบนและส่วนล่าง: ปรากฏการณ์ที่อุปกรณ์จ่ายไฟส่วนบนและล่างเปิดพร้อมกันเนื่องจากการทำงานผิดปกติที่เกิดจากเสียงรบกวน หรืออุปกรณ์ไฟฟ้าทำงานผิดปกติเนื่องจากกระแสของมิลเลอร์ในระหว่างการสวิชชิ่ง

 การใช้งาน

อุปกรณ์อุตสาหกรรม

  • อินเวอร์เตอร์ PV, UPS, อินเวอร์เตอร์อุตสาหกรรม, ไดรฟ์เซอร์โว AC ฯลฯ

อุปกรณ์ที่เหมาะสมสำหรับ TLP5814H

SiC MOSFETs

Si MOSFET แรงดันสูงที่มีพิกัดมากกว่า 300V

IGBTs

ดีเยี่ยม

ดี

ใช้งานได้

 ฟีเจอร์

  • ฟังก์ชั่น Active Miller Clamp ในตัว
  •  อัตรากระแสไฟขาออกสูงสุด: IOP = +6.8A/-4.8A
  •  พิกัดอุณหภูมิการทำงานสูง: Topr (สูงสุด)=125°C

 ข้อมูลจำเพาะหลัก

 (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น Ta =-40 to 125°C)

หมายเลขชิ้นส่วน

 TLP5814H

ฟังก์ชั่น Active Miller Clamp

ในตัว

แพ็คเกจ

ชื่อ

SO8L

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

5.85×10×2.1

พิกัด

สูงสุด

แท้จริง

 อุณหภูมิในการทำงาน Topr (°C)

-40 ถึง 125

 กระแสไฟขาออกสูงสุด IOPL /IOPH (A)

+6.8/-4.8

 กระแสไฟฟ้าแคลมป์พีค ICLAMP (A)

+6.8

สภาพ

การใช้งาน

ที่แนะนำ

 แรงดันไฟฟ้า VCC (V)

13 ถึง 23

 อินพุตสถานะเปิดปัจจุบัน IF(ON) (mA)

4.5 ถึง 10

คุณลักษณะ

ทางไฟฟ้า

 กระแสจ่ายไฟระดับสูง ICCH (mA)

 VCC –VEE =23V

สูงสุด

5.0

 กระแสจ่ายไฟระดับต่ำ ICCL (mA)

สูงสุด

5.0

 กระแสอินพุตขีดเริ่ม (L/H) IFLH (mA)

สูงสุด

3.0

 แรงดันขีดเริ่ม UVLO VUVLO (V)

สูงสุด

13.2

คุณลักษณะ

ของสวิชชิ่ง

 เวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณ (L/H) tpLH (ns)

 VCC =23V

สูงสุด

150

 เวลาหน่วงในการแปลี่ยนสัญญาณ (H/L) tpHL (ns)

 VCC =23V

สูงสุด

130

 ภูมิคุ้มกันการเกิดแรงดันไฟฟ้าเกินชั่วครู่ในโหมดปกติ CMH , CML (kV/μs)

 Ta =25°C

ต่ำสุด

±70

คุณลักษณะ

ของการแยกวงจร

 แรงดันไฟฟ้าแยก BVS (Vrms)

 Ta =25°C

ต่ำสุด

5000

ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน

 ซื้อออนไลน์

โปรดไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TLP5814H

โปรดไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับตัวแยกกระแสไฟ/โซลิดสเตตรีเลย์ของ Toshiba
ตัวแยกกระแสไฟ/โซลิดสเตตรีเลย์

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมของผลิตภัณฑ์ใหม่ที่ตัวแทนจำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TLP5814H
ซื้อออนไลน์

 * ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทที่เกี่ยวข้อง
 * ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ เนื้อหาบริการ และข้อมูลการติดต่อ เป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยมีพนักงานกว่า 19,400 คนทั่วโลกที่มีความมุ่งมั่นร่วมกันที่จะเพิ่มมูลค่าผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ ร่วมกัน บริษัทมุ่งหวังที่จะสร้างและมีส่วนสนับสนุนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนโดยทั่วไป

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html  

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/54218557/en

Contacts

การสอบถามข้อมูลสำหรับลูกค้า
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
โทร.: +81-44-548-2218
ติดต่อเรา

การสอบถามข้อมูลสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Distribute your news release with us

  • Print

    unique advertising solution

    Our media lists include news desks at all leading Thai and English-language dailies.

  • Radio & TV

    reliable platform

    We deliver your news to leading Thai radio stations and TV channels.

  • Internet Sites

    cloud computing

    All releases are submitted to Internet news sites, including several with guaranteed pickup.

Our Self-Serve News Release Couldn't Be Simpler

Our streamlined online process makes it simple and fast to submit your news to the Thai media. Once registered, just enter or copy your text into our submission form and you'll see an instant preview with our fee based on the word count, translation, and any attached image. To confirm submission, hit Enter to be taken to our payment processor. Once payment is approved, your release passes automatically to our news desk for translation and dissemination by our skilled and experienced team. You'll be kept informed at each step of the process.

Do NOT follow this link or you will be banned from the site!