Logo

Toshiba เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-Channel 40V ที่มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูง และช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้

Category: Technology
Posted Aug 18, 2023 11:34 (GMT +7)

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น -- (BUSINESS WIRE)--17 สิงหาคม 2023

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เปิดตัวพาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V อย่าง “XPJR6604PB” และ “XPJ1R004PB” ที่ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) จาก Toshiba พร้อมชิปประมวลผล U-MOS IX-H พร้อมจัดส่งจำนวนมากแล้ววันนี้

Toshiba: automotive 40V N-channel power MOSFETs with new package that contributes to high heat dissipation and size reduction of automotive equipment. (Graphic: Business Wire)

Toshiba: พาวเวอร์มอสเฟตยานยนต์ N-channel 40V มาพร้อมแพ็กเกจใหม่ที่ให้การกระจายความร้อนสูงและช่วยลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลงได้ (ภาพประกอบ: Business Wire)

การใช้งานที่มีความเสี่ยงด้านความปลอดภัยสูงอย่างในระบบขับเคลื่อนอัตโนมัตินั้น จะใช้การออกแบบที่มีความซ้ำซ้อนเพื่อรับรองความเชื่อถือได้ของระบบ ซึ่งส่งผลให้ต้องใช้อุปกรณ์มากขึ้นและอาศัยพื้นที่ติดตั้งมากกว่าระบบมาตรฐาน ด้วยเหตุนี้ หากต้องการลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง ก็ต้องอาศัยพาวเวอร์มอสเฟตที่สามารถติดตั้งในสภาวะที่มีความหนาแน่นของกระแสไฟฟ้าสูงได้

XPJR6604PB และ XPJ1R004PB ใช้แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่ (7.0 มม. X 8.44 มม.[1]) ที่มาพร้อมโครงสร้างที่ไม่ต้องพึ่งพาเสาในการยึดชิ้นส่วนเชื่อมต่อของซอร์สกับขั้วต่อภายนอกเข้าด้วยกัน โครงสร้างที่ประกอบด้วยหลายพินสำหรับขั้วต่อซอร์สช่วยลดแรงต้านทานของแพ็กเกจลงได้

การจับคู่กันของแพ็กเกจ S-TOGL™ และชิปประมวลผล U-MOS IX-H จาก Toshiba ช่วยให้ได้ค่าความต้านทานระหว่างทำงานลดลงอย่างยิ่งถึง 11% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แพ็กเกจ TO-220SM (W)[2] จาก Toshiba ซึ่งมีลักษณะความต้านทานทางความร้อนเดียวกัน แพ็กเกจใหม่นี้ยังตัดทอนพื้นที่ติดตั้งที่ต้องใช้ออกไปได้ราว 55% เมื่อเทียบกับแพ็กเกจ TO-220SM(W) นอกจากนี้ อัตรากระแสเดรน 200A ของแพ็กเกจใหม่นี้ยังสูงกว่าแพ็กเกจ DPAK + จาก Toshiba ที่มีขนาดใกล้เคียงกัน (6.5 มม.×9.5 มม.[1]) อีกด้วย กระแสไฟจึงไหลได้คล่องตัวสูง ในภาพรวมแล้ว แพ็กเกจ S-TOGL™ นี้ให้ความหนาแน่นสูงแต่มีรูปลักษณ์กะทัดรัด ลดขนาดอุปกรณ์ยานยนต์ลง และช่วยกระจายความร้อนได้สูง

เนื่องจากอุปกรณ์ยานยนต์ใช้ในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสุดขั้ว ความแน่นอนของรอยบัดกรีสำหรับติดตั้งบนพื้นผิวจึงเป็นปัจจัยสำคัญที่ต้องพิจารณา แพ็กเกจ S-TOGL™ ใช้ขั้วต่อแบบปีกนกนางนวลที่จะช่วยลดแรงตึงในการติดตั้ง จึงเพิ่มความแน่นอนให้กับรอยบัดกรีได้ด้วย

Toshiba เล็งเห็นว่าในการใช้งานที่ต้องการการปฏิบัติงานกับกระแสไฟในระดับสูงอาจมีการเชื่อมต่ออุปกรณ์หลายชิ้นให้ทำงานไปพร้อม ๆ กัน บริษัทจึงให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม[3] สำหรับผลิตภัณฑ์ใหม่ ๆ ด้วย โดยจะพิจารณาแรงดันขีดเริ่มของเกตในการจัดกลุ่ม ซึ่งจะเอื้อประโยชน์ให้กับการออกแบบที่ใช้กลุ่มผลิตภัณฑ์ที่มีลักษณะไม่แตกต่างกันมากนัก

Toshiba จะยังคงขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้าต่อไป และสนับสนุนความเป็นกลางทางคาร์บอนด้วยอุปกรณ์ประสิทธิภาพสูงที่เป็นมิตรกับผู้ใช้มากยิ่งขึ้น

การใช้งาน

•         อุปกรณ์ยานยนต์: อินเวอร์เตอร์, รีเลย์เซมิคอนดักเตอร์, สวิตช์โหลด, มอเตอร์ไดร์ฟ เป็นต้น

คุณสมบัติ

•         แพ็กเกจ S-TOGL™ โฉมใหม่: 7.0 มม. × 8.44 มม. (ทั่วไป)

•         อัตรากระแสเดรนสูง

XPJR6604PB: ID=200A

XPJ1R004PB: ID=160A

•         ผ่านการทดสอบ AEC-Q101 แล้ว

•         IATF 16949/PPAP พร้อมให้บริการ[4]

•         ความต้านทานขณะทำงานต่ำ :

XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (ทั่วไป) (VGS=10V)

หมายเหตุ:

[1] ขนาดแพ็กเกจทั่วไป รวมขั้วต่อด้วย

[2] TKR74F04PB บรรจุในแพ็กเกจ TO-220SM (W)

[3] Toshiba สามารถให้บริการการจัดส่งเป็นกลุ่ม โดยที่ช่วงแรงดันขีดเริ่มของเกตจะเป็น 0.4V ต่อแต่ละรีล อย่างไรก็ตาม เราอาจไม่สามารถระบุกลุ่มที่เฉพาะเจาะจงได้ ดังนั้นโปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

[4] โปรดติดต่อตัวแทนจำหน่ายของ Toshiba เพื่อขอรายละเอียดเพิ่มเติม

ข้อกำหนดเฉพาะหลัก

ผลิตภัณฑ์ใหม่

ผลิตภัณฑ์ปัจจุบัน

หมายเลขชิ้นส่วน

XPJR6604PB

XPJ1R004PB

TKR74F04PB

TK1R4S04PB

ขั้ว

N-channel

ซีรีส์

U-MOS IX-H

แพ็กเกจ

ชื่อ

S-TOGL™

TO-220SM(W)

DPAK+

ขนาด (มม.)

ทั่วไป

7.0×8.44, t=2.3

10.0×13.0, t=3.5

6.5×9.5, t=2.3

อัตราสูงสุดสัมบูรณ์

แรงดันไฟฟ้าจากเดรน-ซอร์ส VDSS (V)

40

กระแสเดรน (DC) ID (A)

200

160

250

120

กระแสเดรน (เพิ่มกำลัง) IDP (A)

600

480

750

240

อุณหภูมิชาเนล Tch (°C)

175

ลักษณะทางไฟฟ้า

ความต้านทานขณะทำงานจากเดรน-ซอร์ส

RDS(ON) (mΩ)

VGS=10V

สูงสุด

0.66

1.0

0.74

1.35

ความต้านทานต่อการผ่านของความร้อนจากชาเนล-เคส

Zth(ch-c) (°C/W)

Tc=25°C

สูงสุด

0.4

0.67

0.4

0.83

ไปที่ลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่

XPJR6604PB
XPJ1R004PB

ติดตามลิงก์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับมอสเฟตยานยนต์ของ Toshiba

มอสเฟตยานยนต์

* S-TOGL™ เป็นเครื่องหมายการค้าของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการอื่น ๆ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัท ผลิตภัณฑ์ และบริการนั้น ๆ

* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและข้อกำหนดเฉพาะ เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ คือข้อมูล ณ วันที่ประกาศและอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่แจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation เป็นซัพพลายเออร์ชั้นนำสำหรับโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และพื้นที่จัดเก็บ บริษัทมีประสบการณ์และสร้างสรรค์นวัตกรรมมาแล้วกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อส่งมอบผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์ชนิดแยกชิ้น, LSI ของระบบ และ HDD ที่มีคุณภาพโดดเด่นให้แก่ลูกค้าและพาร์ทเนอร์ทางธุรกิจ

บริษัทมีพนักงาน 21,500 คนทั่วโลก ซึ่งต่างมุ่งมั่นเพิ่มพูนคุณค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด ขณะเดียวกันก็ส่งเสริมการทำงานอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในตลาดใหม่ ๆ เพื่อสร้างคุณค่าร่วมกัน ด้วยยอดขายต่อปีที่ทะยานขึ้นแตะ 800,000 ล้านเยน (6.1 billion ดอลลาร์สหรัฐฯ) Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation จึงตั้งเป้าสร้างสรรค์และอุทิศตนเพื่ออนาคตที่ดีกว่าของทุกคนทั่วโลก
ดูข้อมูลเพิ่มเติมที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/53525044/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

ติดต่อ

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดอุปกรณ์ไฟฟ้า
โทร: +81-44-548-2216
ติดต่อเรา

ช่องทางติดต่อสอบถามสำหรับสื่อ:
Chiaki Nagasawa
ฝ่ายการตลาดดิจิทัล
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

แหล่งที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Distribute your news release with us

  • Print

    unique advertising solution

    Our media lists include news desks at all leading Thai and English-language dailies.

  • Radio & TV

    reliable platform

    We deliver your news to leading Thai radio stations and TV channels.

  • Internet Sites

    cloud computing

    All releases are submitted to Internet news sites, including several with guaranteed pickup.

Our Self-Serve News Release Couldn't Be Simpler

Our streamlined online process makes it simple and fast to submit your news to the Thai media. Once registered, just enter or copy your text into our submission form and you'll see an instant preview with our fee based on the word count, translation, and any attached image. To confirm submission, hit Enter to be taken to our payment processor. Once payment is approved, your release passes automatically to our news desk for translation and dissemination by our skilled and experienced team. You'll be kept informed at each step of the process.

Do NOT follow this link or you will be banned from the site!