ฟังก์ชันป้องกันที่จะช่วยเพิ่มความปลอดภัยของวงจร รวมถึงแพ็คเกจขนาดเล็กชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] ที่จะช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจร –

คาวาซากิ ประเทศญี่ปุ่น--(BUSINESS WIRE)--20 สิงหาคม 2026

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ได้เพิ่ม “ TCKE1401NM ที่เป็นฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (eFuse IC) ที่มีพิกัดแรงดัน 80 โวลต์ เข้ามาในกลุ่มผลิตภัณฑ์ eFuse IC ที่มีฟังก์ชันป้องกันสายไฟหลายแบบในตัว โดยสามารถเริ่มจัดส่งสินค้าได้ตั้งแต่วันนี้เป็นต้นไป

Toshiba: TCKE1401NM ฟิวส์อิเล็กทรอนิกส์ (eFuse IC) ขนาดกะทัดรัด พิกัด 80V สำหรับป้องกันสายไฟ 48V ในอุปกรณ์อุตสาหกรรม

ผลิตภัณฑ์ใหม่นี้ใช้แพ็คเกจ VQFN24D ที่เป็นแพ็คเกจขนาดเล็กชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] สำหรับ eFuse IC ขนาด 80V ที่สามารถช่วยเพิ่มความปลอดภัยในวงจรป้องกันสายไฟและลดขนาด PCB สำหรับอุปกรณ์อุตสาหกรรมได้

ด้วยความต้องการกำลังไฟฟ้าขาออกที่สูงขึ้นและประสิทธิภาพที่ดียิ่งขึ้น การนำระบบจ่ายไฟ 48V มาใช้จึงกำลังก้าวหน้าอย่างรวดเร็วในเซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์เครือข่าย อุปกรณ์ระบบอัตโนมัติในโรงงาน หุ่นยนต์ และอุปกรณ์อุตสาหกรรมอื่นๆ โดยการเปลี่ยนแปลงนี้ต้องการวงจรป้องกันสายไฟที่ทนต่อแรงดันไฟฟ้าสูงและมีฟังก์ชันการป้องกันหลายอย่าง

eFuse IC คือฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ที่ป้องกันวงจรปลายทางจากกระแสไฟผิดปกติ แรงดันไฟฟ้าผิดปกติ และสภาวะผิดปกติอื่นๆ นอกเหนือจากการป้องกันการลัดวงจรที่ฟิวส์แบบดั้งเดิมมีให้^[2] และยังรวมฟังก์ชันการป้องกันหลายอย่างไว้ในชิปเดียว เช่น การป้องกันกระแสเกิน การป้องกันแรงดันเกิน การบล็อกกระแสย้อนกลับ การป้องกันการกลับขั้วของอินพุต และการปิดระบบเมื่อมีอุณหภูมิสูงเกิน ทำให้วงจรป้องกันสายไฟมีฟังก์ชันการทำงานมากขึ้นและมีขนาดกะทัดรัดยิ่งขึ้น

TCKE1401NM มีพิกัดแรงดัน 80V และรองรับช่วงแรงดันใช้งานที่กว้าง ตั้งแต่ 4.7V ถึง 75V โดยความทนทานต่อแรงดันสูงทำให้สามารถใช้สำหรับการป้องกันสายไฟในระบบ 24V, 48V และ 54V ได้ นอกจากนี้ ค่าความต้านทานขณะเปิด (R_ON) นั้นต่ำ โดยอยู่ที่ 44.5mΩ (โดยทั่วไป) จะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของอุปกรณ์โดยลดการสูญเสียพลังงานระหว่างการทำงาน การใช้แพ็คเกจ VQFN24D ขนาด 4.0×4.0 มม. (โดยทั่วไป) จะสามารถช่วยลดขนาดของ PCB ได้

ฟังก์ชันการป้องกันหลักของ eFuse IC ประกอบด้วยการจำกัดกระแสที่ควบคุมกระแสขาออก หากเกิดกระแสเกิน และการปิดการทำงานของขาออกในกรณีที่เกิดแรงดันเกิน โดยสามารถตั้งค่าเกณฑ์การทำงานสำหรับทั้งสองฟังก์ชันได้ด้วยตัวต้านทานภายนอก นอกจากนี้ยังมีระบบป้องกันกระแสย้อนกลับและการต่อกลับขั้วที่แท้จริง ซึ่งใช้ MOSFET ภายนอก เพื่อป้องกันทั้งตัวไอซีเองและวงจรปลายทาง

eFuse IC รุ่นใหม่นี้ยังมีฟังก์ชัน FLAG^[3] ที่แจ้งเตือนวงจรภายนอกถึงสภาวะผิดปกติ ฟังก์ชันแสดงสถานะพลังงาน^[4] ที่จะแสดงสถานะของแรงดันไฟฟ้าขาออก และฟังก์ชันตรวจสอบกระแสไฟฟ้าขาออก โดยฟังก์ชันปิดเครื่องอัตโนมัติเมื่อเกิดความร้อนสูงจะปิด eFuse IC ทันทีเมื่อเกิดการลัดวงจรที่ไม่คาดคิดหรือความร้อนสูงผิดปกติ เพื่อป้องกันวงจรที่อยู่ถัดไป วิธีการกู้คืนจากสภาวะผิดปกติสามารถสลับได้ระหว่างสองโหมดการทำงาน: โหมดลองใหม่โดยอัตโนมัติ ซึ่ง eFuse IC จะกู้คืนโดยอัตโนมัติ และโหมดปิดเครื่องโดยอัตโนมัติ ซึ่งการกู้คืนจะถูกกระตุ้นด้วยสัญญาณภายนอก

Toshiba จะยังคงพัฒนา eFuse IC ต่อไป เพื่อเพิ่มความปลอดภัยและความน่าเชื่อถือในการป้องกันสายไฟ และจะขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลาย

การใช้งาน

• อุปกรณ์อุตสาหกรรม เช่น เซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์เครือข่าย อุปกรณ์ระบบอัตโนมัติในโรงงาน หุ่นยนต์ และเครื่องพิมพ์มัลติฟังก์ชันต่างๆ
• อุปกรณ์สำหรับผู้บริโภค เช่น เครื่องมือไฟฟ้าและเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน

ฟีเจอร์

• ระดับแรงดัน 80V ที่สามารถรองรับการป้องกันสายไฟสำหรับระบบที่ทำงานได้ถึง 54V
• แพ็คเกจ VQFN24D ขนาดเล็กชั้นนำในอุตสาหกรรม^[1] สำหรับ eFuse IC ที่รองรับแรงดัน 80V: 4.0×4.0 มม. (โดยทั่วไป), ความหนา = 0.9 มม. (สูงสุด)
• ความต้านทานขณะเปิดต่ำ: R_ON =44.5mΩ (โดยทั่วไป)
• ฟังก์ชันการป้องกันต่างๆ รวมถึงการป้องกันกระแสเกิน การป้องกันแรงดันเกิน การป้องกันกระแสย้อนกลับอย่างแท้จริง และการป้องกันขั้วขาเข้ากลับด้าน

  ข้อมูลจำเพาะหลัก
  (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น, Ta =-40 ถึง 125°C, 4.7V≤VIN ≤75V, COUT =1μF)
  หมายเลขชิ้นส่วน				TCKE1401NM
  แพ็คเกจ	ชื่อ			VQFN24D
  	ขนาด (มม.)			4.0×4.0 (โดยทั่วไป), t=0.9 (สูงสุด)
  พิกัด  maximum สัมบูรณ์	แรงดันไฟฟ้า ขาเข้าสูงสุด	VIN[5] (V)	Ta =25°C	-0.3 ถึง 80
  		VSYS[6] (V)	Ta =25°C	-80 ถึง 80
  ช่วง การทำงาน	แรงดันไฟฟ้าขาเข้า VIN (V)			4.7 ถึง 75
  	อุณหภูมิจุดเชื่อมต่อการทำงาน Tj_opr (°C)			-40 ถึง 125
  คุณลักษณะ ทางไฟฟ้า	ความต้านทานขณะเปิด R ON  (mΩ)	0.6A≤IOUT ≤6A	โดยทั่วไป	44.5
  			สูงสุด	80
  	ขีดจำกัดกระแสเกิน  ILIM (A)	VIN -VOUT =1V, RILIM =30kΩ, Ta =25°C	โดยทั่วไป	0.82
  		VIN -VOUT =1V, RILIM =9kΩ, Ta =25°C	โดยทั่วไป	2.21
  		VIN -VOUT =1V, RILIM =4.02kΩ, Ta =25°C	โดยทั่วไป	4.83
  		VIN -VOUT =1V, RILIM =3kΩ, Ta =25°C	โดยทั่วไป	6.43
  	เวลาสำหรับวงจรเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าความเร็วสูง  tFASTTRIP (μs)	VIN =48V, 3kΩ≤RILIM ≤6kΩ	โดยทั่วไป	3
  	วงจรเปรียบเทียบแรงดันไฟฟ้าความเร็วสูง IFASTTRIP (A)		โดยทั่วไป	ILIM ×2.0
  	เวลาตอบสนอง  ขีดจำกัดกระแสเกิน tLIM (μs)	ILIM (โดยทั่วไป)×1.4<IOUT <IFASTTRIP,  RILIM =3kΩ, Ta =25°C	โดยทั่วไป	100
  ตรวจสอบตัวอย่างและความพร้อมใช้งาน				ซื้อออนไลน์
  หมายเหตุ:
  [5] แรงดันไฟฟ้าขาเข้าสำหรับสายไฟ
  [6] แรงดันไฟฟ้าขาเข้าสำหรับวงจรภายในของ eFuse IC

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูรายละเอียดเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ใหม่
TCKE1401NM

คลิกลิงก์ด้านล่างเพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ eFuse IC ของ Toshiba
eFuse IC

หากต้องการตรวจสอบคู่มือการเลือกใช้ผลิตภัณฑ์สัญญาณขนาดเล็กและลอจิกของ Toshiba รวมถึง eFuse IC โปรดไปที่:
คู่มือการเลือกสัญญาณขนาดเล็กและลอจิก

หากต้องการตรวจสอบเนื้อหาที่เกี่ยวข้องกับ eFuse IC ของ Toshiba โปรดไปที่:
eFuse IC สำหรับการป้องกันแหล่งจ่ายไฟที่มีประสิทธิภาพสูง
คำศัพท์เฉพาะของ eFuse IC
การใช้งานพื้นฐานและฟังก์ชันของ eFuse IC

หากต้องการตรวจสอบความพร้อมจำหน่ายของผลิตภัณฑ์ใหม่จากผู้จำหน่ายออนไลน์ โปรดไปที่:
TCKE1401NM
ซื้อออนไลน์

* ชื่อบริษัท ชื่อผลิตภัณฑ์ และชื่อบริการ อาจเป็นเครื่องหมายการค้าของบริษัทนั้นๆ
* ข้อมูลในเอกสารนี้ รวมถึงราคาและรายละเอียดสินค้า เนื้อหาของบริการ และข้อมูลติดต่อ เป็นข้อมูลล่าสุด ณ วันที่ประกาศ แต่ข้อมูลอาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ซัพพลายเออร์ชั้นนำด้านโซลูชันเซมิคอนดักเตอร์และการจัดเก็บข้อมูลขั้นสูง ใช้ประสบการณ์และนวัตกรรมมากกว่าครึ่งศตวรรษเพื่อนำเสนอผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ระบบ LSI และผลิตภัณฑ์ HDD ที่โดดเด่นให้กับลูกค้าและพันธมิตรทางธุรกิจต่างๆ

โดยพนักงานกว่า 17,400 คนทั่วโลกของบริษัทยังคงมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าของผลิตภัณฑ์ให้สูงสุด และส่งเสริมความร่วมมืออย่างใกล้ชิดกับลูกค้าในการร่วมสร้างมูลค่าและตลาดใหม่ๆ โดยบริษัทยังมุ่งหวังที่จะร่วมสร้างและสนับสนุนอนาคตที่ดีกว่าสำหรับผู้คนในทุกๆ ที่

ค้นหาข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

สามารถรับชมภาพในรูปแบบมัลติมีเดียได้ที่: https://www.businesswire.com/news/home/20260819360764/en

เนื้อหาใจความในภาษาต้นฉบับของข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้เป็นฉบับที่เชื่อถือได้และเป็นทางการ การแปลต้นฉบับนี้จึงมีจุดประสงค์เพื่ออำนวยความสะดวกเท่านั้น และควรนำไปเทียบเคียงอ้างอิงกับเนื้อหาในภาษาต้นฉบับ ซึ่งเป็นฉบับเดียวที่มีผลทางกฎหมาย

Contacts

การสอบถามจากลูกค้า:
ฝ่ายขายและการตลาดของอุปกรณ์แอนะล็อก
โทร.: +81-44-548-2219
ติดต่อเรา

การสอบถามสำหรับสื่อ:
C. Nagasawa
ฝ่ายสื่อสารและข้อมูลการตลาด
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

ที่มา: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation